IRF6620TRPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 150 А, 0.0021 Ом, DirectFET MX, Surface Mount
330 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
300 руб.
от 100 шт. —
233 руб.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 2 640 руб.
Описание
20V 2.7mΩ@27A,10V 2.45V@250uA null MG-WDSON-5 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 27A;150A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.7mΩ@27A, 10V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 20V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.45V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 4.13nF@10V |
Operating Temperature | -40℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 2.8W;89W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 42nC@4.5V |
Type | null |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Infineon Technologies IRF6620TRPBF
pdf, 232 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов