IRF7105PBF, Транзистор, N/P-каналы 25В 3.5А/-2.3А [SO-8]

Артикул: IRF7105PBF
Ном. номер: 21171
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF7105PBF, Транзистор, N/P-каналы 25В 3.5А/-2.3А [SO-8]
Фото 2/3 IRF7105PBF, Транзистор, N/P-каналы 25В 3.5А/-2.3А [SO-8]Фото 3/3 IRF7105PBF, Транзистор, N/P-каналы 25В 3.5А/-2.3А [SO-8]
Есть в наличии более 250 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
19 руб. × = 19 руб.
от 25 шт. — 17 руб.
от 250 шт. — 15 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF7105PBF is a dual N/P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Advanced process technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
-3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
100/250
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
3/-3

Техническая документация

IRF7105 Datasheet
pdf, 265 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF7105PBF