IRF7105
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
130 руб.
от 10 шт. —
101 руб.
от 100 шт. —
81.75 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 360 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N & P CH, 25V, 3.5A, SOIC-8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:3.5A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.083ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vg
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | NIP |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 3.5@N ChannelI2.3@P Channel |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 100@10V@N ChannelI250@10V@P Channel |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 25 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Process Technology | HEXFET |
| Standard Package Name | SOP |
| Supplier Package | SOIC |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 9.4@N ChannelI10@P Channel |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 9.4@10V@N ChannelI10@10V@P Channel |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 330@15V@N ChannelI290@15V@P Channel |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
IRF7105 Datasheet
pdf, 265 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
