IRF7311
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
350 руб.
от 2 шт. —
270 руб.
от 10 шт. —
220 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 350 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, DUAL N CH, 20V, 6.6A, SOIC-8; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:6.6A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs:700mV; Power Dissipation Pd:2W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
| Brand | Infineon/IR |
| Configuration | Dual |
| Factory Pack Quantity | 4000 |
| Fall Time | 31 ns |
| Forward Transconductance - Min | 20 S |
| Height | 1.75 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 6.6 A |
| Length | 4.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Package / Case | SO-8 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 18 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 30 mOhms |
| Rise Time | 17 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 38 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 8.1 ns |
| Unit Weight | 0.01787 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 0.7 V |
| Width | 3.9 mm |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
