IRF7319TRPBF, Транзистор N+P-канал 30В 4.9А, [SO-8]

Артикул: IRF7319TRPBF
Ном. номер: 9000242031
Производитель: International Rectifier
Фото 1/2 IRF7319TRPBF, Транзистор N+P-канал 30В 4.9А, [SO-8]
Фото 2/2 IRF7319TRPBF, Транзистор N+P-канал 30В 4.9А, [SO-8]
Есть в наличии более 80 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 3 дня.
59 руб. × = 59 руб.
от 100 шт. — 23 руб.
от 200 шт. — 21.35 руб.

Описание

Dual N/P-Channel Power MOSFET, International Rectifier
Infineon's dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.

MOSFET Transistors, International Rectifier Cam & Groove Couplings - Polypropylene
Infineon comprehensive portfolio of rugged single and dual N-channel and P-channel devices offer fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements. Applications range from ac-dc and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
29/58
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус

Техническая документация

IRF7319PBF Datasheet
pdf, 224 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF7319TRPBF
IRF7319TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet IRF7319TRPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов