IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-CH 55V 3.4A [SOIC-8]

Артикул: IRF7342TRPBF
Ном. номер: 9000039358
Производитель: International Rectifier
Фото 1/5 IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-CH 55V 3.4A [SOIC-8]
Фото 2/5 IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-CH 55V 3.4A [SOIC-8]Фото 3/5 IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-CH 55V 3.4A [SOIC-8]Фото 4/5 IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-CH 55V 3.4A [SOIC-8]Фото 5/5 IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-CH 55V 3.4A [SOIC-8]
Есть в наличии 4520 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка завтра
23 руб. × = 23 руб.
от 15 шт. — 19 руб.
от 150 шт. — 18 руб.
Цена и наличие в магазинах Есть аналоги

Описание

The IRF7342TRPBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
-1

Дополнительная информация

Datasheet IRF7342TRPBF
IRF7342TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet