IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-CH 55V 3.4A [8-SOIC]

Артикул: IRF7342TRPBF
Ном. номер: 9000039358
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-CH 55V 3.4A [8-SOIC]
Фото 2/4 IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-CH 55V 3.4A [8-SOIC]Фото 3/4 IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-CH 55V 3.4A [8-SOIC]Фото 4/4 IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-CH 55V 3.4A [8-SOIC]
Есть в наличии более 250 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка завтра
26 руб. × = 26 руб.
от 25 шт. — 22 руб.
от 250 шт. — 21 руб.
Цена и наличие в магазинах Есть аналоги

Описание

The IRF7342TRPBF is a dual P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Dynamic dV/dt rating
• Fast switching performance

Дополнительная информация

Datasheet IRF7342TRPBF
IRF7342TRPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet IRF7342TRPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов