IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-CH 55V 3.4A [SOIC-8]

Фото 2/5 IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-CH 55V 3.4A [SOIC-8]Фото 3/5 IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-CH 55V 3.4A [SOIC-8]Фото 4/5 IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-CH 55V 3.4A [SOIC-8]Фото 5/5 IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-CH 55V 3.4A [SOIC-8]
Фото 1/5 IRF7342TRPBF, Транзистор 2P-CH 55V 3.4A [SOIC-8]
4394 шт. со склада г.Москва
58 руб.
от 25 шт.53 руб.
от 250 шт.51.60 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 58 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 9000039358
Артикул: IRF7342TRPBF
Производитель: Infineon Technologies

Описание

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon
Infineon, предлагает линейку дискретных мощных МОП-транзисторов HEXFET®, включая P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также форм-факторах, которые подходят почти для всех любая компоновка платы и задача теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Технические параметры

Структура 2p-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.105 Ом/3.4А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 3.3
Корпус soic-8
Пороговое напряжение на затворе -1
Вес, г 0.15

Техническая документация

Datasheet IRF7342TRPBF
pdf, 332 КБ
Datasheet IRF7342TRPBF
pdf, 320 КБ
Datasheet IRF7342TRPBF
pdf, 158 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах