IRF7343TRPBF, Транзистор N+P 55V 3.4A [SOIC-8]

Артикул: IRF7343TRPBF
Ном. номер: 9000072123
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRF7343TRPBF, Транзистор N+P 55V 3.4A [SOIC-8]
Фото 2/4 IRF7343TRPBF, Транзистор N+P 55V 3.4A [SOIC-8]Фото 3/4 IRF7343TRPBF, Транзистор N+P 55V 3.4A [SOIC-8]Фото 4/4 IRF7343TRPBF, Транзистор N+P 55V 3.4A [SOIC-8]
Есть в наличии 3566 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
24 руб. × = 24 руб.
от 25 шт. — 20 руб.
от 250 шт. — 19 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF7343TRPBF is a dual N/P-channel MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve the lowest possible ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device. The HEXFET Power MOSFET is extremely efficient device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized lead-frame for enhanced thermal characteristics and dual-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space.

• Generation V technology
• Ultra low ON-resistance
• Surface-mount device
• Fully avalanche rated

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
-1/1

Техническая документация

irf7343pbf
pdf, 219 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF7343TRPBF