IRF7351TR, Транзистор 2N-MOSFET 60В 8А 2Вт [SOP-8]

Фото 1/2 IRF7351TR, Транзистор 2N-MOSFET 60В 8А 2Вт [SOP-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2388 шт. со склада г.Москва
45 руб.
от 50 шт.41 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 45 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 9001231204
Артикул: IRF7351TR
PartNumber: UMW IRF7351TR

Технические параметры

Структура 2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 23 мОм/8А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Крутизна характеристики, S 18
Корпус SOIC-8
Пороговое напряжение на затворе 2 max.
Вес, г 0.15

Техническая документация

Datasheet UMW IRF7351
pdf, 500 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.