IRF740LC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
480 руб.
от 2 шт. —
370 руб.
от 5 шт. —
299 руб.
от 10 шт. —
273.42 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 6,3А, 125Вт, TO220AB Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Brand | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Fall Time | 20 ns |
| Height | 9.01 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 10 A |
| Length | 10.41 mm |
| Manufacturer | Vishay |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 125 W |
| Product Category | MOSFET |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 550 mOhms |
| Rise Time | 31 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 25 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 11 ns |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 400 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Width | 4.7 mm |
| EU RoHS | Compliant |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Part Status | Active |
| Process Technology | HEXFET |
| Channel Type | N |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 400 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 10 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 550@10V |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 39(Max)@10V |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 39(Max) |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1100@25V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 125000 |
| Typical Fall Time (ns) | 20 |
| Typical Rise Time (ns) | 31 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 25 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 11 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Automotive | No |
| Pin Count | 3 |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| Package Height | 9.01(Max) |
| Package Length | 10.41(Max) |
| Package Width | 4.7(Max) |
| PCB changed | 3 |
| Tab | Tab |
| Lead Shape | Through Hole |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Pd - рассеивание мощности | 125 W |
| Qg - заряд затвора | 39 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 550 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IRF |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 550 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Power Dissipation | 125 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Type | TO-220AB |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 147 КБ
Datasheet IRF740LCPBF
pdf, 271 КБ
Документация
pdf, 270 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
