IRF7493TRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 80В, 9.2А [SOIC-8]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

380 руб.

от 50 шт. — 350 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 380 руб.

Номенклатурный номер: 9000617724

Артикул: IRF7493TRPBF

The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	9.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.015 Ом/5.6А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2.5
Крутизна характеристики, S	13
Корпус	SOIC-8
Вес, г	0.15