IRF7580MTRPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 114 А, 0.0029 Ом, DirectFET ME, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
640 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
570 руб.
от 100 шт. —
439 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 3 200 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
60V 114A 3.6mΩ@70A,10V 115W 3.7V@150uA null MG-WDSON-8 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 114A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 3.6mΩ@70A, 10V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3.7V@150uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 6.51nF@25V |
Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 115W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 180nC@10V |
Type | null |
Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 508 КБ
Datasheet IRF7580MTRPBF
pdf, 510 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов