Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF7907TRPBF, Транзистор 2хN-канала 30В 11А ...

IRF7907TRPBF, Транзистор 2хN-канала 30В 11А, [SO-8]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

440 руб.

от 25 шт. — 419 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 440 руб.

Номенклатурный номер: 9000040785

Артикул: IRF7907TRPBF

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium.

Технические параметры

Структура	2N-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	9.1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.0164 Ом/9.1А, 10В/0.0118 Ом/11А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	2
Крутизна характеристики, S	19/24
Корпус	SOIC-8
Пороговое напряжение на затворе	1.35…2.25
Вес, г	0.15