IRF8010PBF, Транзистор, N-канал 100В 80А [TO-220AB]
![Фото 1/5 IRF8010PBF, Транзистор, N-канал 100В 80А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
360 руб.
от 15 шт. —
316 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 360 руб.
Описание
МОП-транзистор MOSFT 100V 80A 15mOhm 81nC
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.015 Ом/45А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 260 | |
| Корпус | TO-220AB | |
| Пороговое напряжение на затворе | -2…4 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRF8010PBF
pdf, 140 КБ
Datasheet IRF8010PBF
pdf, 133 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
