IRF8313TRPBF, Транзистор 2N-MOSFET 30В 9.7A [SOIC-8]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
от 25 шт. —
138 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Описание
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages.
Технические параметры
Структура | 2N-канала | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.7 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0155 Ом/9.7А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 | |
Крутизна характеристики, S | 23 | |
Корпус | SOIC-8 | |
Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF8313
pdf, 254 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов