IRF8734
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
410 руб.
от 2 шт. —
360 руб.
от 10 шт. —
308 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 410 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 30V, 21A, SOIC, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:21A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.0029ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:1.8V, Power Dissipation , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 21(A) |
| Drain-Source On-Volt | 30(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | SOIC |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 2.5(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
Техническая документация
Datasheet IRF8734TRPBF
pdf, 282 КБ
IRF8734PBF Datasheet
pdf, 272 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
