IRF8910TRPBF, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 10 А, 2Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

140 руб.

Мин. кол-во для заказа 4 шт.

от 20 шт. — 120 руб.

от 40 шт. — 102 руб.

от 79 шт. — 98 руб.

Добавить в корзину 4 шт. на сумму 560 руб.

Номенклатурный номер: 8721342312

Артикул: IRF8910TRPBF

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 10 А, 2Вт

Корпус	soic8
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	HEXFET
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	20В
Непрерывный Ток Стока	10А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	2.55В
Рассеиваемая Мощность	2Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.0107Ом
Стиль Корпуса Транзистора	SOIC
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	10 A
Maximum Drain Source Resistance	0.0134 Ω
Maximum Drain Source Voltage	20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	2.55V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SO-8
Pin Count	8
Series	HEXFET
Transistor Material	Si
Вес, г	4.54

pdf, 285 КБ

Мы рекомендуем