IRF9317TRPBF, SOIC8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 200 руб.
Описание
транзисторы полевые импортные
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
| Корпус | SOIC-8 | |
| Channel Type | P Channel | |
| Drain Source On State Resistance | 0.0054Ом | |
| Power Dissipation | 2.5Вт | |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) | |
| Линейка Продукции | HEXFET | |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C | |
| Монтаж транзистора | Surface Mount | |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В | |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В | |
| Непрерывный Ток Стока | 16А | |
| Полярность Транзистора | P Канал | |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.8В | |
| Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт | |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0054Ом | |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOIC | |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Continuous Drain Current | 16 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 10.2 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.4V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOIC | |
| Pin Count | 8 | |
| Series | HEXFET | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 31 nC @ 4.5 V, 61 nC @ 10 V | |
| Width | 4mm | |
| Brand: | Infineon Technologies | |
| Channel Mode: | Enhancement | |
| Configuration: | Single | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 | |
| Id - Continuous Drain Current: | 16 A | |
| Manufacturer: | Infineon | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Number of Channels: | 1 Channel | |
| Package / Case: | SOIC-8 | |
| Part # Aliases: | IRF9317TRPBF SP001575412 | |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W | |
| Product Category: | MOSFET | |
| Product Type: | MOSFET | |
| Qg - Gate Charge: | 31 nC | |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.2 mOhms | |
| Subcategory: | MOSFETs | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | P-Channel | |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V | |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V | |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.8 V | |
| Вес, г | 0.156 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 224 КБ
Datasheet
pdf, 224 КБ
Datasheet IRF9317TRPBF
pdf, 219 КБ
IRF9317PBF datasheet
pdf, 231 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
