IRF9530NPBF, Транзистор, P-канал 100В 14А [TO-220AB]

Артикул: IRF9530NPBF
Ном. номер: 416163342
Производитель: International Rectifier
Фото 1/5 IRF9530NPBF, Транзистор, P-канал 100В 14А [TO-220AB]
Фото 2/5 IRF9530NPBF, Транзистор, P-канал 100В 14А [TO-220AB]Фото 3/5 IRF9530NPBF, Транзистор, P-канал 100В 14А [TO-220AB]Фото 4/5 IRF9530NPBF, Транзистор, P-канал 100В 14А [TO-220AB]Фото 5/5 IRF9530NPBF, Транзистор, P-канал 100В 14А [TO-220AB]
Есть в наличии более 100 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
27 руб. × = 27 руб.
от 50 шт. — 23 руб.
от 200 шт. — 19.62 руб. (1 рабочий день)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF9530NPBF from International Rectifier is -100V single P channel HEXFET power MOSFET in TO-220AB package. This MOSFET features extremely low on resistance per silicon area, dynamic dv/dt rating, rugged, fast switching and fully avalanche rated as a result, power MOSFET are well know to provide extremely efficiency and reliability which can be used in wide variety of applications.

• Drain to source voltage Vds is -100V
• Gate to source voltage is ±20V
• On resistance Rds(on) of 200mohm
• Power dissipation Pd of 79W at 25°C
• Continuous drain current Id of -14A at Vgs -10V and 25°C
• Operating junction temperature range from -55°C to 175°C

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
200
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
-4

Техническая документация

IRF9530N Datasheet
pdf, 118 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF9530NPBF
Datasheet IRF9530NPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов