IRF9540NSTRLPBF, Транзистор, P-канал 100В 23А [D2-Pak]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
220 руб.
от 15 шт. —
160 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 220 руб.
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | P-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 23 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.117 Ом/11А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 140 | |
Крутизна характеристики, S | 5.3 | |
Корпус | D2PAK(2 Leads+Tab) | |
Пороговое напряжение на затворе | -4 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 306 КБ
Datasheet IRF9540NSTRLPBF
pdf, 328 КБ
Datasheet IRF9540ns
pdf, 186 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Видео
С этим товаром покупают