IRF9Z34NPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А [TO-220AB]

Артикул: IRF9Z34NPBF
Ном. номер: 600528337
Производитель: International Rectifier
Фото 1/5 IRF9Z34NPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А [TO-220AB]
Фото 2/5 IRF9Z34NPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А [TO-220AB]Фото 3/5 IRF9Z34NPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А [TO-220AB]Фото 4/5 IRF9Z34NPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А [TO-220AB]Фото 5/5 IRF9Z34NPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А [TO-220AB]
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в г.Москва со склада.
Возможна срочная доставка завтра
25 руб. × = 25 руб.
от 50 шт. — 21 руб.
от 500 шт. — 20 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF9Z34NPBF is a -55V single P-channel HEXFET® Power MOSFET, fifth generation HEXFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rated
• 175°C Operating temperature

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
-4

Техническая документация

IRF9Z34 datasheet
pdf, 174 КБ
IRF9Z34NPBF Datasheet
pdf, 240 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF9Z34NPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов