Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRF9Z34NPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А ...

IRF9Z34NPBF, Транзистор, P-канал 55В 19А [TO-220AB]

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

130 руб.

от 15 шт. — 86 руб.

от 150 шт. — 78.70 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.

В кредит от 0 руб./мес

Номенклатурный номер: 600528337

Артикул: IRF9Z34NPBF

Страна происхождения: КИТАЙ

Бренд / Производитель: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает устройства с P-каналом в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Технические параметры

Структура	p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	19
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.1 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	68
Крутизна характеристики, S	4.2
Корпус	TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе	-4
Вес, г	2.5