IRFB11N50APBF, Транзистор N-канал 500В 11А [TO-220AB]
![Фото 1/7 IRFB11N50APBF, Транзистор N-канал 500В 11А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/215/DOC001215990.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
от 15 шт. —
226 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 250 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 7А, 170Вт, TO220AB Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.52 Ом/6.6А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 170 | |
| Крутизна характеристики, S | 6.1 | |
| Корпус | TO-220AB | |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 155 КБ
IRFB11N50A, SiHFB11N50A_Datasheet
pdf, 137 КБ
Datasheet IRFB11N50A
pdf, 172 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
