IRFB13N50APBF, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
480 руб.
от 5 шт. —
479 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
МОП-транзистор 500V N-CH HEXFET
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
Pd - рассеивание мощности | 250 W |
Qg - заряд затвора | 81 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 450 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Высота | 15.49 mm |
Длина | 10.41 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IRFB |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.7 mm |
Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 289 КБ
Datasheet
pdf, 134 КБ
Datasheet IRFB13N50APBF
pdf, 292 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов