Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › IRFB18N50KPBF, Транзистор, N-канал 500В 17А ...

IRFB18N50KPBF, Транзистор, N-канал 500В 17А, [TO-220AB]

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

440 руб.

от 15 шт. — 408 руб.

от 150 шт. — по запросу

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 440 руб.

В кредит от 0 руб./мес

Номенклатурный номер: 722190008

Артикул: IRFB18N50KPBF

Страна происхождения: КИТАЙ

Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

MOSFET, N, 500V, 18A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.25ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Power Dissipation Pd:200W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; Current Id Max:17A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.63°C/W; Operating Temperature Min:-55°C; Power Dissipation Ptot Max:38W; Pulse Current Idm:72A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:500V; Voltage Vds Typ:500V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5.5V

Технические параметры

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	17
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.29 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	220
Крутизна характеристики, S	6.4
Корпус	TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе	3…5
Вес, г	2.5