IRFB18N50KPBF, Транзистор, N-канал 500В 17А, [TO-220AB]

IRFB18N50KPBF, Транзистор, N-канал 500В 17А, [TO-220AB]
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
440 руб.
от 15 шт.408 руб.
от 150 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 440 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 722190008
Артикул: IRFB18N50KPBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

MOSFET, N, 500V, 18A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.25ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Power Dissipation Pd:200W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; Current Id Max:17A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.63°C/W; Operating Temperature Min:-55°C; Power Dissipation Ptot Max:38W; Pulse Current Idm:72A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:500V; Voltage Vds Typ:500V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5.5V

Технические параметры

Структура n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 17
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.29 Ом/10А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 220
Крутизна характеристики, S 6.4
Корпус TO-220AB
Пороговое напряжение на затворе 3…5
Вес, г 2.5

Техническая документация

IRFB18N50KPBF Datasheet
pdf, 173 КБ
Datasheet IRFB18N50K
pdf, 171 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов