IRFB18N50KPBF, Транзистор, N-канал 500В 17А, [TO-220AB]
![IRFB18N50KPBF, Транзистор, N-канал 500В 17А, [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/279/DOC001279744.jpg)
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
440 руб.
от 15 шт. —
408 руб.
от 150 шт. —
по запросу
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 440 руб.
Номенклатурный номер: 722190008
Артикул: IRFB18N50KPBF
Страна происхождения: КИТАЙ
Бренд / Производитель: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Описание
MOSFET, N, 500V, 18A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:18A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):0.25ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Power Dissipation Pd:200W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; Current Id Max:17A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.63°C/W; Operating Temperature Min:-55°C; Power Dissipation Ptot Max:38W; Pulse Current Idm:72A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:500V; Voltage Vds Typ:500V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:5.5V
Технические параметры
Структура | n-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.29 Ом/10А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 220 | |
Крутизна характеристики, S | 6.4 | |
Корпус | TO-220AB | |
Пороговое напряжение на затворе | 3…5 | |
Вес, г | 2.5 | |
Техническая документация
IRFB18N50KPBF Datasheet
pdf, 173 КБ
Datasheet IRFB18N50K
pdf, 171 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают