Мой регион:
Режим цен:
Добавить к сравнению Сравнить ()

IRFB260NPBF, Транзистор, N-канал 200В 56А [TO-220AB]

Артикул: IRFB260NPBF
Ном. номер: 6004556990
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRFB260NPBF, Транзистор, N-канал 200В 56А [TO-220AB]
Фото 2/4 IRFB260NPBF, Транзистор, N-канал 200В 56А [TO-220AB]Фото 3/4 IRFB260NPBF, Транзистор, N-канал 200В 56А [TO-220AB]Фото 4/4 IRFB260NPBF, Транзистор, N-канал 200В 56А [TO-220AB]
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1-2 рабочих дня.
Возможна срочная доставка сегодня
93 × = 93
от 25 шт. — 76 руб.
от 200 шт. — 69.01 руб. (3 рабочих дня)
Цена и наличие в магазинах

Описание

N-Channel Power MOSFET over 100A, International Rectifier
International Rectifier's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, International Rectifier
International Rectifier's comprehensive portfolio of rugged single- and dual- N-channel and P-channel devices offers fast switching speeds and addresses a wide variety of power requirements in applications ranging from AC-DC and DC-DC power supplies to audio and consumer electronics and from motor control to lighting and home appliances.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
40
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
2…4

Техническая документация

IRFB260NPBF Datasheet
pdf, 170 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFB260NPBF
Datasheet IRFB260NPBF
IRFB260NPbF, HEXFET Power MOSFET (SMPS MOSFET) IRFB260NPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов