IRFB3407ZPBF, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 75 В, 120 А, 0.005 Ом, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
640 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
580 руб.
от 100 шт. —
469 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 560 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
HEXFET® power MOSFET suitable for use in battery management, high speed power switching and hard switched and high frequency circuits.
• Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.005Ом |
Power Dissipation | 230Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | HEXFET |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 75В |
Непрерывный Ток Стока | 120А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 230Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.005Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 243 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов