IRFB3407ZPBF, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 75 В, 120 А, 0.005 Ом, TO-220, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
670 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
610 руб.
от 100 шт. —
478 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 680 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
HEXFET® power MOSFET suitable for use in battery management, high speed power switching and hard switched and high frequency circuits.
• Improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness
• Fully characterized capacitance and avalanche SOA
• Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.005Ом |
| Power Dissipation | 230Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | HEXFET |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 75В |
| Непрерывный Ток Стока | 120А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 230Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.005Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 243 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
