IRFB5620PBF, МОП-транзистор, N Канал, 25 А, 200 В, 60 мОм, 10 В, 5 В

PartNumber: IRFB5620PBF
Ном. номер: 8033941398
Производитель: Infineon Technologies
IRFB5620PBF, МОП-транзистор, N Канал, 25 А, 200 В, 60 мОм, 10 В, 5 В
Доступно на заказ 266 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
230 руб. × = 230 руб.
от 25 шт. — 200 руб.
от 100 шт. — 154 руб.


The IRFB5620PBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve low ON-resistance per silicon area. Furthermore, gate charge, body-diode reverse recovery and internal gate resistance are optimized to improve key class-D audio amplifier performance factors such as efficiency, THD and EMI. Additional features of this MOSFET are 175°C operating junction temperature and repetitive avalanche capability. These features combine to make this MOSFET a highly efficient, robust and reliable device. It can deliver up to 300W per channel into 8R load in half-bridge configuration amplifier. It is suitable for full-bridge and push-pull application.

• Low RDS (ON) for improved efficiency
• Low Qg and Qsw for better THD and improved efficiency
• Low QRR for better THD and lower EMI

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet IRFB5620PBF