Мой регион: Россия

IRFBE30PBF, Транзистор, N-канал 800В 4.1А [TO-220AB]

Ном. номер: 24300
Артикул: IRFBE30PBF
Производитель: Vishay
Фото 1/5 IRFBE30PBF, Транзистор, N-канал 800В 4.1А [TO-220AB]
Фото 2/5 IRFBE30PBF, Транзистор, N-канал 800В 4.1А [TO-220AB]Фото 3/5 IRFBE30PBF, Транзистор, N-канал 800В 4.1А [TO-220AB]Фото 4/5 IRFBE30PBF, Транзистор, N-канал 800В 4.1А [TO-220AB]Фото 5/5 IRFBE30PBF, Транзистор, N-канал 800В 4.1А [TO-220AB]
Ожидается поступление на склад г.Москва: 13 мая 2020 г. — 450 шт.
85 руб.
38 шт. со склада г.Екатеринбург
от 15 шт. — 77 руб.
от 150 шт. — 75 руб.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
140 руб. 3 дня, 708 шт. 3 шт. 3 шт.
от 42 шт. — 63 руб.
от 162 шт. — 57 руб.
от 282 шт. — 55.46 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
В кредит от 0 руб./мес
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
4
Вес, г
2.5

Техническая документация

IRFBE30 datasheet
pdf, 167 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFBE30PBF
Datasheet IRFBE30PBF

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.