IRFBE30PBF, Транзистор, N-канал 800В 4.1А [TO-220AB]
![Фото 1/9 IRFBE30PBF, Транзистор, N-канал 800В 4.1А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/213/DOC001213962.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
от 15 шт. —
216 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 250 руб.
Описание
МОП-транзистор 800V Single N-Channel HEXFET
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4.1 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3 Ом/2.5А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 | |
| Крутизна характеристики, S | 2.5 | |
| Корпус | TO-220AB | |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1469 КБ
Datasheet
pdf, 563 КБ
Datasheet IRFBE30PBF
pdf, 1449 КБ
Datasheet IRFBE30PBF
pdf, 1596 КБ
IRFBE30 datasheet
pdf, 167 КБ
Документация
pdf, 1592 КБ
Datasheet IRFBE30
pdf, 579 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
