IRFBG30PBF, Транзистор, N-канал 1000В 3.1А [TO-220AB]

Артикул: IRFBG30PBF
Ном. номер: 269907238
Производитель: Vishay
Фото 1/3 IRFBG30PBF, Транзистор, N-канал 1000В 3.1А [TO-220AB]
Фото 2/3 IRFBG30PBF, Транзистор, N-канал 1000В 3.1А [TO-220AB]Фото 3/3 IRFBG30PBF, Транзистор, N-канал 1000В 3.1А [TO-220AB]
Есть в наличии более 90 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка сегодня
53 руб. × = 53 руб.
от 50 шт. — 47 руб.
от 100 шт. — 34.81 руб. (1 рабочий день)
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRFBG30PBF is a third generation N-channel Power MOSFET is designed with the combination of fast switching, low on-resistance and cost effectiveness.

• Dynamic dV/dt Rating
• Repetitive Avalanche Rated
• Fast Switching
• Ease of Paralleling
• Simple Drive Requirements
• 175°C Operating Temperature

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
5000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
4

Техническая документация

IRFBG30 Datasheet
pdf, 167 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFBG30PBF
Datasheet IRFBG30PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов