IRFH8324TR2PBF

IRFH8324TR2PBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 390 руб.
Номенклатурный номер: 8024038444

Описание

N-канал 30 В, 23 А (Ta), 90 А (Tc), 3,6 Вт (Ta), 54 Вт (Tc), поверхностный монтаж PQFN (5x6)

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 23A (Ta), 90A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2380pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case 8-PowerTDFN
Power Dissipation (Max) 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1mOhm @ 20A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
Series HEXFETВ® ->
Supplier Device Package PQFN (5x6)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 50ВµA
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet IRFH8324TR2PBF
pdf, 268 КБ
IRFH8324PBF datasheet
pdf, 219 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов