IRFH8324TR2PBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 390 руб.
Описание
N-канал 30 В, 23 А (Ta), 90 А (Tc), 3,6 Вт (Ta), 54 Вт (Tc), поверхностный монтаж PQFN (5x6)
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 23A (Ta), 90A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2380pF @ 10V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 54W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 20A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
Series | HEXFETВ® -> |
Supplier Device Package | PQFN (5x6) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 50ВµA |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet IRFH8324TR2PBF
pdf, 268 КБ
IRFH8324PBF datasheet
pdf, 219 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов