IRFI530NPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 11А, 33Вт, TO220FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
220 руб.
от 15 шт. —
200 руб.
от 29 шт. —
180 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 220 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой IRFI530NPBF от производителя INFINEON – это высококачественный компонент в корпусе TO220, предназначенный для монтажа THT. Устройство обладает током стока в 11 А и напряжением сток-исток, достигающим 100 В, что позволяет использовать его в широком спектре электронных схем. Максимальная мощность транзистора составляет 33 Вт. Отличительной чертой данного N-MOSFET является низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,11 Ом, что обеспечивает его высокую эффективность и минимизацию потерь мощности. Такой транзистор будет оптимальным выбором для повышения надежности и производительности вашего оборудования. Уникальный код продукта IRFI530NPBFгарантирует легкость идентификации и заказа компонента. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 11 |
| Напряжение сток-исток, В | 100 |
| Мощность, Вт | 33 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.11 |
| Корпус | TO220 |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Pd - рассеивание мощности | 33 W |
| Qg - заряд затвора | 29.3 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 110 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 15.65 mm |
| Длина | 10 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 12A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 25V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 41W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 6.6A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | TO-220AB Full-Pak |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 3.5 |
Техническая документация
Datasheet IRFI530NPBF
pdf, 489 КБ
Документация
pdf, 501 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
