IRFI9630GPBF, Транзистор MOSFET P-канал 200В 4.3А [TO-220FP]
![Фото 1/3 IRFI9630GPBF, Транзистор MOSFET P-канал 200В 4.3А [TO-220FP]](https://static.chipdip.ru/lib/128/DOC004128211.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 руб.
от 5 шт. —
154 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 170 руб.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET, полевой, -200В, -2,7А, 35Вт, TO220FP Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.3A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 25V |
| Manufacturer | Vishay Siliconix |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 35W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 2.6A, 10V |
| Series | - |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
IRFI9630G
pdf, 1557 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
