IRFL024NPBF, Транзистор, N-канал 55В 5.1А [SOT-223]

Артикул: IRFL024NPBF
Ном. номер: 9000039092
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRFL024NPBF, Транзистор, N-канал 55В 5.1А [SOT-223]
Фото 2/4 IRFL024NPBF, Транзистор, N-канал 55В 5.1А [SOT-223]Фото 3/4 IRFL024NPBF, Транзистор, N-канал 55В 5.1А [SOT-223]Фото 4/4 IRFL024NPBF, Транзистор, N-канал 55В 5.1А [SOT-223]
Есть в наличии более 200 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 1 рабочий день.
Возможна срочная доставка завтра
22 руб. × = 22 руб.
от 50 шт. — 20 руб.
от 500 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRFL024NPBF is a HEXFET® fifth generation N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heat sinking. Power dissipation of 1W is possible in a typical surface-mount application.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating
• Low static drain-to-source ON-resistance

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
75
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Пороговое напряжение на затворе
4

Техническая документация

IRFL024N datasheet
pdf, 120 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRFL024NPBF
IRFL024NPBF HEXFET Power MOSFET Data Sheet IRFL024NPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов