IRFP260MPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 200В 50А [TO-247АC]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
440 руб.
от 15 шт. —
382 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 440 руб.
Описание
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 50 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.04 Ом/28А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 300 | |
Корпус | TO-247AC | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают