Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IRFP260MPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si ...

IRFP260MPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 200В 50А [TO-247АC]

Фото 4/4 IRFP260MPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 200В 50А [TO-247АC]

Фото 1/4 IRFP260MPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 200В 50А [TO-247АC]

Ном. номер: 9000187972

Артикул: IRFP260MPBF

Производитель: Infineon Technologies

120 руб.	547 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 111 руб. от 150 шт. — 109 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 120 руб.

В кредит от 0 руб./мес

Описание

Trans MOSFET N-CH Si 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Корпус TO247AC, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 50 А, Сопротивление открытого канала (мин) 40 мОм

Технические параметры

Максимальная рабочая температура	+175 °C
Максимальный непрерывный ток стока	50 A
Тип корпуса	TO-247AC
Максимальное рассеяние мощности	300 Вт
Тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
Ширина	5.2мм
Высота	21.1мм
Размеры	16.13 x 5.2 x 21.1мм
Материал транзистора	Кремний
Количество элементов на ИС	1
Длина	16.13мм
Transistor Configuration	Одинарный
Типичное время задержки включения	17 нс
Производитель	Infineon
Типичное время задержки выключения	55 нс
Серия	HEXFET
Минимальная рабочая температура	-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Максимальное сопротивление сток-исток	40 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток	200 В
Число контактов	3
Категория	Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs	234 нКл при 10 В
Номер канала	Поднятие
Типичная входная емкость при Vds	4057 пФ при 25 В
Тип канала	N
Максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
Вес, г	7.5