IRFR1018EPBF, транзистор N канал 60В, 79A, TO-252AA / D-Pak
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 12 шт. —
84 руб.
от 48 шт. —
81 руб.
от 84 шт. —
80.15 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Описание
транзисторы полевые импортные
MOSFET, N-CH, 60V, 79A, TO-252AA, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:79A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.0071ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Lead Finish | Matte Tin |
| Max Processing Temp | 260I300 |
| Maximum Continuous Drain Current | 79 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Mounting | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55 to 175 °C |
| RDS-on | 8.4@10V mOhm |
| Typical Fall Time | 46 ns |
| Typical Rise Time | 35 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 55 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 13 ns |
| Вес, г | 0.71 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 377 КБ
IRFR1018EPBF datasheet
pdf, 388 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
