IRFR110PBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 4.8А 25Вт, 0.54 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
80 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 32 шт. —
65 руб.
от 75 шт. —
60 руб.
от 150 шт. —
56 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 480 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 100В 4.8А 25Вт, 0.54 Ом
Технические параметры
| Корпус | DPAK/TO-252AA | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Размер фабричной упаковки | 3000 | |
| Серия | IRFR/U | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix | |
| Упаковка | Tube | |
| Base Product Number | IRFR110 -> | |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4.3A (Tc) | |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| ECCN | EAR99 | |
| FET Type | N-Channel | |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V | |
| HTSUS | 8541.29.0095 | |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 25V | |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) | |
| Package | Tube | |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 2.6A, 10V | |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant | |
| Supplier Device Package | D-Pak | |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Vgs (Max) | В±20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA | |
| FET Feature | - | |
| Manufacturer | Vishay Siliconix | |
| Packaging | Cut Tape(CT) | |
| Part Status | Active | |
| Series | - | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.3 A | |
| Maximum Drain Source Resistance | 540 mΩ | |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | DPAK(TO-252) | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V | |
| Width | 6.22mm | |
| Вес, г | 0.66 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 762 КБ
Datasheet
pdf, 754 КБ
Datasheet IRFR110PBF
pdf, 772 КБ
Документация
pdf, 742 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
