IRFR120ZTRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 8.7А [DPAK]

Фото 1/3 IRFR120ZTRPBF, Транзистор HEXFET N-канал 100В 8.7А [DPAK]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
220 руб.
от 15 шт.195 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 220 руб.
Номенклатурный номер: 9000799290
Артикул: IRFR120ZTRPBF

Описание

The Infineon HEXFET® Power MOSFET series utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area.

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.19 Ом/5.2А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 35
Крутизна характеристики, S 16
Корпус DPAK(2 Leads+Tab)
Вес, г 0.4

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов