IRFR13N15DTRPBF

Фото 1/3 IRFR13N15DTRPBF
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
270 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт. на сумму 540 руб.
Номенклатурный номер: 8006517768

Описание

Производитель: Infineon
Категория продукта: МОП-транзистор
RoHS: Подробности
Технология: Si
Вид монтажа: SMD/SMT
Упаковка / блок: TO-252-3
Полярность транзистора: N-Channel
Количество каналов: 1 Channel
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 150 V
Id - непрерывный ток утечки: 14 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 180 mOhms
Vgs - напряжение затвор-исток: - 30 V, + 30 V
Qg - заряд затвора: 19 nC
Pd - рассеивание мощности: 86 W
Упаковка: Cut Tape
Упаковка: MouseReel
Упаковка: Reel
Конфигурация: Single
Высота: 2.3 mm
Длина: 6.5 mm
Тип транзистора: 1 N-Channel
Ширина: 6.22 mm
Торговая марка: Infineon / IR
Тип продукта: MOSFET
Подкатегория: MOSFETs
Вес изделия: 4 g

Технические параметры

Qg - заряд затвора: 19 nC
Категория продукта: МОП-транзистор
Количество каналов: 1 Channel
Конфигурация: Single
Корпус: TO-252-3
Полярность транзистора: N-Channel
Технология: Si
Тип продукта: MOSFETs
Вес, г 0.55

Техническая документация

IRFR13N15D Datasheet
pdf, 133 КБ
IRFR13N15DTRPBF
pdf, 223 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов