IRFR3707ZTRPBF, Транзистор, HEXFET, N-канал, 30В, 56А [D-PAK]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
от 15 шт. —
142 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Описание
This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on resistance per silicon area.
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 56 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0095 Ом/15А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 | |
Крутизна характеристики, S | 71 | |
Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet IRFR3710Z, IRFU3710Z, IRFU3710Z-701
pdf, 682 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов