IRFR3806
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
190 руб.
от 10 шт. —
161 руб.
от 100 шт. —
140 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 500 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 60V, 43A, TO-252AA, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:43A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):0.0126ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 43 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 15.8@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 71000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | HEXFET |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Supplier Package | DPAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 22 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 22@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1150@50V |
| Вес, г | 0.7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 515 КБ
IRFR3806PBF datasheet
pdf, 439 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
