IRFR4105ZPBF, Транзистор, N-канал 55В 30А [D-PAK]
![IRFR4105ZPBF, Транзистор, N-канал 55В 30А [D-PAK]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294472.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
160 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 160 руб.
Описание
MOSFET, N-CH, 55V, 30A, TO-252AA, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:30A, Drain Source Voltage Vds:55V, On Resistance Rds(on):0.019ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Power Dissipation, RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0245 Ом/18А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 48 | |
| Крутизна характеристики, S | 16 | |
| Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
| Вес, г | 0.601 |
Техническая документация
IRFR4105ZPBF Datasheet
pdf, 330 КБ
Документация
pdf, 209 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
