IRFR825PBF, Транзистор, N-канал 500В 6А [D-PAK]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
от 15 шт. —
95 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Описание
MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-252AA, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:6A, Drain Source Voltage Vds:500V, On Resistance Rds(on):1.05ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:5V, Power Dissipation , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.3 Ом/3.7А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 119 | |
Крутизна характеристики, S | 7.5 | |
Корпус | DPAK(2 Leads+Tab) | |
Пороговое напряжение на затворе | 3…5 | |
Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
irfr825pbf
pdf, 211 КБ
Документация
pdf, 212 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают