IRFS7434TRL7PP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 229А; Idm: 1,3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
620 руб.
от 10 шт. —
430 руб.
от 30 шт. —
377 руб.
от 100 шт. —
317.70 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 620 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 229А; Idm: 1,3
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single Quint Source |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Lead Shape | Gull-wing |
Material | Si |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 362 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3.9 |
Maximum IDSS (uA) | 1 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 245000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 6 |
Pin Count | 7 |
PPAP | No |
Process Technology | HEXFET |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-263 |
Supplier Package | D2PAK |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 85 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 210 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 210 10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 10250 25V |
Typical Rise Time (ns) | 125 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 107 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 32 |
Вес, г | 0.156 |
Техническая документация
Datasheet IRFS7434TRL7PP
pdf, 549 КБ
irfs7434-7ppbf
pdf, 299 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов