IRFS7434TRL7PP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 229А; Idm: 1,3

Фото 1/3 IRFS7434TRL7PP, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 229А; Idm: 1,3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
620 руб.
от 10 шт.430 руб.
от 30 шт.377 руб.
от 100 шт.317.70 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 620 руб.
Номенклатурный номер: 8022643341
Артикул: IRFS7434TRL7PP

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 229А; Idm: 1,3

Технические параметры

Automotive No
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Configuration Single Quint Source
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant with Exemption
Lead Shape Gull-wing
Material Si
Maximum Continuous Drain Current (A) 362
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) 1 10V
Maximum Drain Source Voltage (V) 40
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) 100
Maximum Gate Source Voltage (V) ±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V) 3.9
Maximum IDSS (uA) 1
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Maximum Power Dissipation (mW) 245000
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Mounting Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Packaging Tape and Reel
Part Status Active
PCB changed 6
Pin Count 7
PPAP No
Process Technology HEXFET
Product Category Power MOSFET
Standard Package Name TO-263
Supplier Package D2PAK
Tab Tab
Typical Fall Time (ns) 85
Typical Gate Charge @ 10V (nC) 210
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) 210 10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) 10250 25V
Typical Rise Time (ns) 125
Typical Turn-Off Delay Time (ns) 107
Typical Turn-On Delay Time (ns) 32
Вес, г 0.156

Техническая документация

Datasheet IRFS7434TRL7PP
pdf, 549 КБ
irfs7434-7ppbf
pdf, 299 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов