IRFS7730TRLPBF, Силовой МОП-транзистор, StrongIRFET™, N Канал, 75 В, 195 А, 0.0022 Ом, TO-263AB, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
790 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
730 руб.
от 100 шт. —
599 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 3 160 руб.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 75В, 174А, Idm: 984А, 375Вт, D2PAK Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 246 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 2.6 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 75 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.7V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 375 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 271 nC @ 10 V |
| Width | 9.65mm |
| Continuous Drain Current (Id) | 195A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 2.6mΩ@100A, 10V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 3.7V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 13.66nF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 375W |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 407nC@10V |
| Type | null |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
