IRFU3910PBF, Nкан 100В 16А TO251, транзистор
Только в рознице. Цена и сроки поставки по запросу
38 руб.
от 5 шт. —
21 руб.
от 50 шт. —
по запросу
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 38 руб.
Посмотреть альтернативные предложения4
Описание
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Технические параметры
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.115 ом при 10a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 79 |
| Крутизна характеристики, S | 6.4 |
| Корпус | to251 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4 |
Техническая документация
irfr3910
pdf, 147 КБ
Дополнительная информация
Datasheet IRFU3910PBF
Datasheet IRFU3910PBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
