IRFU6215
450 руб.
от 2 шт. —
350 руб.
от 5 шт. —
273 руб.
от 10 шт. —
246.96 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 450 руб.
Описание
Электроэлемент
MOSFET, P-CH, -150V, -13A, 175DEG C; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-13A; Drain Source Voltage Vds:-150V; On Resistance Rds(on):0.295ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-4V; Power Dissipation Pd:110W; Transistor Case Style:TO-251AA; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:HEXFET Series; Automotive Qualification Standard:-; SVHC:No SVHC (15-Jan-2019)
Технические параметры
| Корпус | IPAK | |
| Монтаж | THT | |
| Мощность | 110Вт | |
| Напряжение сток-исток | -150В | |
| Полярность | полевой | |
| Производитель | Infineon(IRF) | |
| Технология | HEXFET® | |
| Тип транзистора | P-MOSFET | |
| Ток стока | -13А | |
| Вес, г | 0.701 |
Техническая документация
Datasheet IRFR6215, IRFU6215 (Infineon)
pdf, 648 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
