IRG4PF50WPBF, Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 250 руб.
от 3 шт. —
1 160 руб.
от 5 шт. —
1 090 руб.
от 10 шт. —
1 030 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 250 руб.
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 900 В, 51 А, 200 Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-247AC | |
| Category | Discrete Semiconductor Products | |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 51A | |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 204A | |
| Design Resources | IRG4PF50WPBF Saber ModelIRG4PF50WPBF Spice Model | |
| Family | IGBTs-Single | |
| Gate Charge | 160nC | |
| IGBT Type | - | |
| Input Type | Standard | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Online Catalog | Standard IGBTs | |
| Other Names | *IRG4PF50WPBF | |
| Package / Case | TO-247-3 | |
| Packaging | Bulk | |
| Power - Max | 200W | |
| Product Training Modules | IGBT Primer Device and ApplicationsHigh Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers) | |
| Reverse Recovery Time (trr) | - | |
| Series | - | |
| Standard Package | 25 | |
| Supplier Device Package | TO-247AC | |
| Switching Energy | 190µJ(on), 1.06mJ(off) | |
| Td (on/off) @ 25°C | 29ns/110ns | |
| Test Condition | 720V, 28A, 5 Ohm, 15V | |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 28A | |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 900V | |
| Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet IRG4PF50WPBF
pdf, 648 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
