IRG4PF50WPBF, IGBT 900В 51А 100кГц [TO-247]

Фото 2/4 IRG4PF50WPBF, IGBT 900В 51А 100кГц [TO-247]Фото 3/4 IRG4PF50WPBF, IGBT 900В 51А 100кГц [TO-247]Фото 4/4 IRG4PF50WPBF, IGBT 900В 51А 100кГц [TO-247]
Фото 1/4 IRG4PF50WPBF, IGBT 900В 51А 100кГц [TO-247]
8 шт. со склада г.Москва
360 руб.
от 10 шт.351 руб.
от 100 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 360 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 870693075
Артикул: IRG4PF50WPBF
Страна происхождения: МЕКСИКА
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Один IGBT более 21 А, Infineon
Оптимизированные IGBT, предназначенные для среднечастотных приложений с быстрым откликом и обеспечивающие пользователю наивысшую доступную эффективность. Использование диодов FRED, оптимизированных для обеспечения наилучшей производительности с IGBT.

Технические параметры

Технология/семейство gen4
Наличие встроенного диода нет
Максимальное напряжение КЭ ,В 900
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 51
Импульсный ток коллектора (Icm), А 204
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.7
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 200
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 29
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 110
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-247ac
Структура n-канал
Управляющее напряжение,В 6
Крутизна характеристики, S 39
Вес, г 7.5

Техническая документация

Datasheet IRG4PF50WPBF
pdf, 648 КБ

Дополнительная информация

SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах