IRG4PH40UDPBF, 1200В 41А 40кГц [TO-247AC]

Артикул: IRG4PH40UDPBF
Ном. номер: 566820276
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRG4PH40UDPBF, 1200В 41А 40кГц [TO-247AC]
Фото 2/3 IRG4PH40UDPBF, 1200В 41А 40кГц [TO-247AC]Фото 3/3 IRG4PH40UDPBF, 1200В 41А 40кГц [TO-247AC]
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
180 руб. × = 180 руб.
от 5 шт. — 170 руб.
от 50 шт. — 163 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

Co-Pack IGBT over 21A, International Rectifier
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from International Semiconductor provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.

IGBT Discretes & Modules, International Rectifier IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.43
Управляющее напряжение,В
6
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Температурный диапазон,С
-55…150
Корпус

Техническая документация

IRG4PH40UD Datasheet
pdf, 338 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRG4PH40UDPBF
Datasheet IRG4PH40UDPBF