IRG7PH42UDPBF, IGBT 1200В 85А [TO-247AC]
см. техническую документацию
Описание
Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники.
Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF, IRG7PH46UPBF и также аналогичные приборы со встроенным диодом с малым временем восстановления. Новое семейство сверхбыстрых 1200 В транзисторов разработано на основе Trench технологии с плоской подложкой Field-Stop, которая позволяет значительно сократить потери на переключение и проводимость для повышения плотности мощности и эффективности работы на высоких частотах. Транзисторы также оптимизированы для применений, не требующих защиты от короткого замыкания, таких как UPS, солнечные инвертеры, сварочное оборудование, и дополняют линейку продукции IR для управления приводами со стойкостью к воздействию тока короткого замыкания в течение 10 мс.
Линейка транзисторов охватывает диапазон токов 20-40 А для корпусированных приборов и до 150 А для кристаллов. Ключевыми преимуществами IGBT является квадратная область безопасной работы (RBSOA), положительный температурный коэффициент напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCEon), малое напряжение насыщения VCEon для уменьшения мощности рассеивания и повышения плотности энергии.
Технические параметры
Технология/семейство | Trench | |
Наличие встроенного диода | Да | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 85 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 90 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 320 | |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 25 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 229 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
Корпус | TO-247AC | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов