IRG7PH42UDPBF, IGBT 1200В 85А [TO-247AC]

Фото 2/4 IRG7PH42UDPBF, IGBT 1200В 85А [TO-247AC]Фото 3/4 IRG7PH42UDPBF, IGBT 1200В 85А [TO-247AC]Фото 4/4 IRG7PH42UDPBF, IGBT 1200В 85А [TO-247AC]
Фото 1/4 IRG7PH42UDPBF, IGBT 1200В 85А [TO-247AC]
579 шт. со склада г.Москва
920 руб.
от 15 шт.907 руб.
от 150 шт.904 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 920 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Номенклатурный номер: 9000102387
Артикул: IRG7PH42UDPBF
Производитель: Infineon Technologies

Описание

Компания International Rectifier представила новое семейство надежных и эффективных IGBT транзисторов на 1200 В для индукционного нагрева, бесперебойных источников питания (UPS), солнечных батарей и сварочной техники.

Это транзисторы: IRG7PH35UPBF, IRG7PH42UPBF, IRG7PH46UPBF и также аналогичные приборы со встроенным диодом с малым временем восстановления. Новое семейство сверхбыстрых 1200 В транзисторов разработано на основе Trench технологии с плоской подложкой Field-Stop, которая позволяет значительно сократить потери на переключение и проводимость для повышения плотности мощности и эффективности работы на высоких частотах. Транзисторы также оптимизированы для применений, не требующих защиты от короткого замыкания, таких как UPS, солнечные инвертеры, сварочное оборудование, и дополняют линейку продукции IR для управления приводами со стойкостью к воздействию тока короткого замыкания в течение 10 мс.

Линейка транзисторов охватывает диапазон токов 20-40 А для корпусированных приборов и до 150 А для кристаллов. Ключевыми преимуществами IGBT является квадратная область безопасной работы (RBSOA), положительный температурный коэффициент напряжения насыщения коллектор-эмиттер (VCEon), малое напряжение насыщения VCEon для уменьшения мощности рассеивания и повышения плотности энергии.

Технические параметры

Технология/семейство trench
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 1200
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 85
Импульсный ток коллектора (Icm), А 90
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 320
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 229
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-247ac
Структура n-канал+диод
Управляющее напряжение,В 6
Крутизна характеристики, S 32
Вес, г 7.5

Техническая документация

IRG7PH42UDPBF datasheet
pdf, 393 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRG7PH42UDPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Видео

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах