IRG7PH50UPBF, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 140 А, 556 Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 210 руб.
от 3 шт. —
1 130 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 210 руб.
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 140 А, 556 Вт
Технические параметры
| Корпус | TO-247 | |
| Category | Discrete Semiconductor Products | |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 140A | |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150A | |
| Family | IGBTs-Single | |
| Gate Charge | 290nC | |
| IGBT Type | Trench | |
| Input Type | Standard | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Online Catalog | Standard IGBTs | |
| Package / Case | TO-247-3 | |
| Packaging | Tube | |
| PCN Assembly/Origin | IGBT Backend Wafer Processing 23/Oct/2013IGBT Wafer Fab Change 08/Nov/2013 | |
| Power - Max | 556W | |
| Product Training Modules | IGBT Primer Device and ApplicationsHigh Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers) | |
| Standard Package | 25 | |
| Supplier Device Package | TO-247AC | |
| Switching Energy | 3.6mJ(on), 2.2mJ(off) | |
| Td (on/off) @ 25°C | 35ns/430ns | |
| Test Condition | 600V, 50A, 5 Ohm, 15V | |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 50A | |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V | |
| Вес, г | 7.5 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
