IRG8P25N120KDPBF, Транзистор, IGBT, 1200В 25А [TO-247]

Артикул: IRG8P25N120KDPBF
Ном. номер: 9000255453
Производитель: International Rectifier
Фото 1/4 IRG8P25N120KDPBF, Транзистор, IGBT, 1200В 25А [TO-247]
Фото 2/4 IRG8P25N120KDPBF, Транзистор, IGBT, 1200В 25А [TO-247]Фото 3/4 IRG8P25N120KDPBF, Транзистор, IGBT, 1200В 25А [TO-247]Фото 4/4 IRG8P25N120KDPBF, Транзистор, IGBT, 1200В 25А [TO-247]
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в г.Москва
Возможна срочная доставка сегодня
330 руб. × = 330 руб.
от 5 шт. — 300 руб.
от 50 шт. — 290 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

Single IGBT over 21A, International Rectifier
Optimised IGBTs designed for medium frequency applications with fast response and provide the user with the highest efficiency available. Utilising FRED diodes optimised to provide the best performance with IGBT's

IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.7
Управляющее напряжение,В
6.5
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Температурный диапазон,С
-40…150
Дополнительные опции
с ультрабыстрым диодом
Корпус

Техническая документация

irg8p25n120kdpbf
pdf, 642 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRG8P25N120KDPBF
IRG8P25N120KDPbF, IRG8P25N120KD-EPbF, Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode 1200V 25A IRG8P25N120KDPBF