IRG8P25N120KD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 850 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 850 руб.
Описание
Электроэлемент
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V IGBT GEN8
Технические параметры
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 45A |
| Family | IGBTs-Single |
| Featured Product | 1200 V Gen8 IGBT |
| Gate Charge | 135nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Online Catalog | Standard IGBTs |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Packaging | Tube |
| Power - Max | 180W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 70ns |
| Standard Package | 25 |
| Supplier Device Package | TO-247AC |
| Switching Energy | 800µJ(on), 900µJ(off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/170ns |
| Test Condition | 600V, 15A, 10 Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Вес, г | 5.6 |
Техническая документация
irg8p25n120kdpbf
pdf, 642 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
