IRGP20B60PDPBF, SMPS IGBT 600В 40А 60-150кГц [TO-247AC]

Фото 2/6 IRGP20B60PDPBF, SMPS IGBT 600В 40А 60-150кГц [TO-247AC]Фото 3/6 IRGP20B60PDPBF, SMPS IGBT 600В 40А 60-150кГц [TO-247AC]Фото 4/6 IRGP20B60PDPBF, SMPS IGBT 600В 40А 60-150кГц [TO-247AC]Фото 5/6 IRGP20B60PDPBF, SMPS IGBT 600В 40А 60-150кГц [TO-247AC]Фото 6/6 IRGP20B60PDPBF, SMPS IGBT 600В 40А 60-150кГц [TO-247AC]
Фото 1/6 IRGP20B60PDPBF, SMPS IGBT 600В 40А 60-150кГц [TO-247AC]
Только в рознице. Цена и сроки поставки по запросу
260 руб.
от 15 шт.247 руб.
от 150 шт.по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 260 руб.
В кредит от 0 руб./мес
Посмотреть альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 9000135698
Артикул: IRGP20B60PDPBF
Производитель: Infineon Technologies

Описание

IGBT транзисторы были изначально предназначены для недорогой и эффективной замены силовых полевых транзисторов в среднем диапазоне напряжений (400-600 В). Однако для достижения поставленных целей разработчики IGBT должны были решить две главные проблемы: малая скорость переключений транзисторов и высокая себестоимость приборов. Решением этих проблем стала WARP серия IGBT транзисторов International Rectifier. Примерами WARP серии являются транзисторы IRGP20B60PDPBF и IRGB20B60PD1PBF Их время переключений максимально близко к аналогичному параметру силовых полевых транзисторов без ущерба отличным характеристикам проводимости IGBT. Благодаря малому размеру кристалла (при сохранении уровня мощности) WARP Speed IGBT имеют более низкий заряд затвора и сниженную стоимость в системах преобразования энергии 400-600 В, работающих на частотах до 150 кГц. Благодаря более высокой плотности тока IGBT, эти транзисторы даже при вдвое меньшем размере кристалла могут пропускать через себя в 2-3 раза выше ток, чем обычный MOSFET. Размер кристалла IGBT обычно составляет 40% от кристалла MOSFET транзистора той же выходной мощности.

Технические параметры

Технология/семейство npt
Наличие встроенного диода да
Максимальное напряжение КЭ ,В 600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 40
Импульсный ток коллектора (Icm), А 80
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 2.8
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 220
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 20
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 115
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус to-247ac
Структура n-канал+диод
Управляющее напряжение,В 5
Крутизна характеристики, S 19
Вес, г 7.5

Техническая документация

IRGP20B60PDPBF Datasheet
pdf, 405 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRGP20B60PDPBF
SMD справочник
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Видео

Цена и наличие в магазинах